بررسي ضريب سيبك و اثر سيبك اسپيني در نانونوارهاي زيگزاگ سيليسين و فسفرين

كارشناسي ارشد

چكيده در اين پايان¬نامه با استفاده از هميلتونين تنگ بست و روش تابع گرين غير تعادلي، ضريب سيبك و همچنين اثر سيبك اسپينيدر نانونوارهاي زيگزاگ سيليسين و فسفرين بررسيشده است. يك لايه عايق فرومغناطيس روي لبه¬ي بالايي نانونوار سيليسين قرار مي¬دهيم. نشان مي¬دهيم كه ضريب سيبك اطراف تراز فرمي خيلي بزرگ است. همچنين اثر ميدان¬هاي الكتريكي عرضي و عمودي و ميدان تبادلي فرومغناطيس روي ضريب سيبك نانونوار فسفرين موردبررسيواقع شده است. سپس اثر سيبك اسپيني در اين نانونوارها بررسيشده است. ابتدا براي نانونوار سيليسين، فرض كرديم ليد چپ (راست) تحت تاثير ميدان¬هاي تبادلي فرومغناطيس (آنتي فرومغناطيس) قرار دارد. دماي ليد چپ (راست) برابر T_S (T_D) مي¬باشد. بدون هرگونه ولتاژ خارجي جريان¬هاي اسپين up و down در جهت مخالف هم با اندازه¬ي برابر شارش مي¬يابند كه نشان دهنده¬ي اثر سيبك اسپيني كامل است. از طرف ديگر، براي نانونوار فسفرين، كانال را فرومغناطيس در نظر مي¬گيريم، جريان¬هاي اسپين up و down در جهت¬هاي مخالف هم ولي با اندازه¬هاي متفاوت شارش مي¬يابند. واژه‌هاي كليدي:هميلتونين تنگ بست، تابع گرين غيرتعادلي،نانونوار، سيليسين، فسفرين، ضريب سيبك، اثر سيبك اسپيني

188034

دانشگاه علم و صنعت ايران

دكتر سميه احمدي

حالت جامد

دكتر مهدي اسماعيل زاده