عنوان
خواص ترابرد الكتروني نانو نوار تنگستن دي سولفايد توسط روش تابعي چگالي
نويسنده اصلي
همايون جعفري
مقطع تحصيلي
كارشناسي ارشد
چكيده
در چندين دهه اخير با رشد علم نانو و تلاش براي تركيب مواد مغناطيسي و نيمه رسانا، به بررسي خواص الكتروني و مغناطيسي نيمه فلزات پرداخته شده است، با كوچكتر شدن لوازم الكترونيكي نياز براي ساخت قطعات كوچكتر با بازدهي بالاتر و مصرف كمتر بيشتر مي شود.
به همين دليل ساخت مواد در ابعاد نانو و تغيير خواص آن ها بر حسب نياز مورد اهميت خاصي قرار دارد. در دهه اخير، توجه دانشمندان از ميان تمامي اين مواد به مواد دو بعدي از جمله گرافن جلب شده است، اما يكي از مشكلات بزرگ اين ماده نداشتن گاف انرژي مي باشد. به همين علت پژوهش ها به سمت دست يابي بيشتر به ديگر مواد دو بعدي از جمله 2WS و بررسي خواص الكتروني آنها ميل كردند.
در اين پايان نامه با استفاده از نظريه تابعي چگالي DFT و با استفاده از كد محاسباتي SIESTA/TRANSIESTA و با تقريب GGA، خواص ساختاري و الكتريكي و مغناطيسي تنگستن دي سولفايد مورد بررسي قرار گرفته است.
پنج ساختار نانو نوار با آرايش مختلف از تهي جايگاه بررسي شده، خواص الكتروني و مغناطيسي آنها مورد بررسي قرار گرفته و در نهايت ويژگي هاي ترابردي آنها بررسي شده است.
شماره ركورد
190852
دانشگاه
دانشگاه علم و صنعت ايران
رشته تحصيلي
حالت جامد
استاد راهنما
دكتر مهدي افشار