بررسي اثر مقاومت مغناطيسي بزرگ در نانو نوارهاي متشكل از ساختارهاي دوبعدي گرافين، سيليسين و فسفرين

كارشناسي ارشد

در اين پايان¬نامه ابتدا رسانش الكتريكي در نانو نوارهاي زيگزاگ گرافين، سيليسين و فسفرين با استفاده از مدل تنگ¬بست و با روش تابع گرين غير¬تعادلي به دست آورده مي¬شود، كه به‌منظور ساده¬‌سازي دما صفر و ترابرد از نوع فاز همدوس فرض مي¬شود. سپس با در نظر گرفتن الكترودهاي فرو مغناطيسي ترابرد وابسته به اسپين در پيوندگاه فرو مغناطيس/ نرمال / فرو مغناطيس بر پايه¬ي نانو نوارهاي زيگزاگ گرافين، سيليسين و فسفرين محاسبه‌شده و با استفاده از رسانش پيكربندي¬هاي موازي و پادموازي مغناطش (M) الكترودها، مقاومت مغناطيسي نانو نوارهاي مذكور محاسبه مي¬شود. سرانجام اثر عرض و طول نانو نوار، ميدان الكتريكي عمودي خارجي و تهي جايگاه بر رسانش و مقاومت مغناطيسي نانو نوارهاي زيگزاگ گرافين، سيليسين و فسفرين بررسي مي¬شود. نتايج نشان مي¬دهد كه ترابرد وابسته به اسپين در غياب ميدان الكتريكي عمودي و در پيوندگاه¬هاي بر پايه نانو نوار گرافين و سيليسين زيگزاگ داراي تقارن الكترون-حفره است، در¬حالي¬كه براي نانو نوار فسفرين زيگزاگ اين تقارن وجود ندارد. رسانش براي پيكربندي پادموازي در نانو نوارهاي گرافين و سيليسين براي انرژي¬هاي فرمي حول نقطه¬ي ديراك صفر مي¬شود،كه منجر به ناحيه مسطح مقاومت مغناطيسي با مقدار و پهناي ۲M حول نقطه¬ي ديراك مي¬شود. درصورتي‌كه براي نانو نوار فسفرين زيگزاگ ناحيه مسطح مقاومت مغناطيسي با مقدار داراي نوسانات ناچيز و پهناي M حول نقطه¬ي ديراك، براي انرژي‌هاي فرمي منفي است. با افزايش M پهناي ناحيه مسطح در هر سه نانو نوار افزايش پيدا مي¬كند.

191344

دانشگاه علم و صنعت ايران

حالت جامد

دكتر سيد ادريس فيض آبادي