بررسي رسانش الكتريكي مولكول DNA در مدل نردباني تنگ بست با ديواره

كارشناسي ارشد

چكيده در سال‌هاي اخير توجه به مولكول DNA، نه‌تنها به دليل اهميت آن در علم ژنتيك و درمان‌هاي پزشكي، بلكه دارا بودن ويژگي‌هاي منحصربه‌فرد - خودآرايي و خود بازشناسي مولكول DNA - آن را گزينه مناسبي براي بهره بردن در زمينه‌هاي الكترونيك مولكولي كرده است. رسانش الكتريكي DNA به پارامترهاي بسياري ازجمله ويژگي‌هاي ساختاري آن، نوع تركيب پايه‌ها، چگونگي اتصال مولكول به الكترودها و شرايط محيطي وابسته است. مطالعه همه‌جانبه‌ي پارامترهاي مؤثر در رسانش مولكول مسئله‌ي كمي پيچيده‌اي است. در اين تحقيق با ساده‌سازي و معرفي مدل‌هاي ارائه‌شده‌اي كه منطبق با نتايج آزمايش‌هاي انجام‌شده، در راستاي بررسي مستقيم رسانش الكتريكي DNA است، با انتخاب مدل نردباني تنگ‌بست، روش لوپز سانچو و فرماليسم لاندائر بوتيكر به بررسي تغييرات نمودار انتقالT(E) برحسب انرژي و نمودار جريان بر حسب ولتاژ وابسته به تغييرات پارامترهاي مؤثر در رسانندگي براي تواليpoly(G)-poly(C) وpoly(A)-poly(T) مولكول DNA پرداخته‌ايم. واژه‌هاي كليدي: رسانش مولكول DNA، مدل نردباني تنگ‌بست،لوپز سانچو، لاندائر بوتيكر.

191671

دانشگاه علم و صنعت ايران

حالت جامد

دكتر نميرانيان