طراحي ترانزيستور اثر ميدان توپولوژيكي

كارشناسي ارشد

در اين رساله نوعي ترانزيستور دو بعدي اثر ميدان، با استفاده از برشي از يك لايه نازك عايق توپولوژيك براي مثال، بيسموت سلنايد در ابعاد نانومتري طراحي شده است. در ابتدا هاميلتوني ماده مورد نظر به همراه متغير هاي مربوطه براي انجام انواع محاسبات معرفي شده و سپس براي ساده سازي، ماده به صورت يك شبكه مربعي گسسته در نظر گرفته شده است. پس از معرفي هاميلتوني بر اين اساس، فازهاي مختلف ماده با استفاده از عدد چرن، و ساختار نواري بر اساس پتانسيل عدم تقارن معكوس ساختاري، مورد بررسي قرار گرفته است. در مبحث بعد با استفاده از روش گرين، رسانش نانو نوار در فاز توپولوژيكي محاسبه شده و پس از آن نيز به محاسبه جريان هاي پيوندي براي مشاهده كانال هاي رسانشي لبه اي پرداخته ايم. سپس به محاسبه رسانش و جريان هاي پيوندي در حضور سد پتانسيل پرداخته شده و بعد از آن نيز تاثير پهناي سد بر اين دو مشخصه بررسي شده است. اثر ابعاد محدود در اندازه هاي مختلف بررسي شده و با استفاده از آن به ايجاد سد در ترانزيستور توپولوژيك مورد هدف مقاله پرداخته ايم. در بخش آخر نيز حالت قطع ترانزيستور با استفاده از دو روش سد با پتانسيل عدم تقارن معكوس ساختاري و مغناطش پادموازي به صورت ابعاد محدود بدست آمده و در نهايت حالت وصل نيز با پيشنهاد اعمال ميدان الكتريكي عرضي به موازاي صفحه، بر نانو نوار تحقق يافته است. در انتها نيز ترابرد نانو نوار توپولوژيكي در حضور ناخالصي هاي مغناطيسي و غير مغناطيسي بررسي شده است.

195647

دانشگاه علم و صنعت ايران

حالت جامد و ماده چگال

دكتر مهدي اسماعيل زاده - دكتر حسين چراغچي