عنوان
مدلسازي و بهينه سازي عملكرد ترانزيستور اثر ميداني خازن منفي
نويسنده اصلي
آزيتا قربان زاده
مقطع تحصيلي
كارشناسي ارشد
چكيده
ترانزيستورهاي اثر ميداني خازن منفي يا NCFETها داراي لايه فرو الكتريكي در عايق گيت هستند كه بهصورت
سري با ماسفت پايه قرار ميگيرد و به علت داشتن ويژگي هايي نظير كاهش توان مصرفي و امكان كوچكتر شدن
ابعاد فناوري يكي از بهترين گزينه ها براي مجتع سازي مي باشند. از اين رو بهبود عملكرد آنها همواره مورد توجه
بوده است. اما ميزان بهبود عملكرد اين نوع ترانزيستورها، بستگي به انطباق خازني بين خازن فرو الكتريك )(Cfe
و خازن ترانزيستور پايه ) (CMOSدارد. از آنجا كه هر دو خازن CMOSو Cfeداراي رفتار غير خطي قوي هستند ،
دستيابي به يك تطابق خوب براي كل محدوده ولتاژ گيت دشوار است. در اين پايان نامه ، رويكرد جديدي در
مورد استفاده از چند لايه فروالكتريك ، و مهندسي خازن فرو الكتريك( ) Cfeرا مورد بررسي قرار مي دهيم. روش
پيشنهادي با استفاده از نرم افزار شبيه ساز ، Silvaco Atlasشبيه سازي و بهبود عملكرد ترانزيستور ارزيابي مي
شود. نوسان نتايج بدست آمده حاكي از آنست كه نسبت Ion/Ioffساختار پيشنهادي 29.23برابر در مقايسه با
NCFETاوليه افزايش يافت در عين حال كه نوسان زير آستانه ) (ssاز 43.37به mv/dec 23.9كاهش داشته
است و براي بدست آوردن جريان روشن معادل ) ( mA/nm 9.47*10^-4ولتاژ تغذيه از 0.42ولت در NCFET
اوليه به 0.27ولت در ساختار پيشنهادي تقليل يافت كه منجر به كاهش توان مصرفي با ضريب 2.42نسبت به
ترانزيستور NCFETاوليه شده است.
شماره ركورد
195827
دانشگاه
دانشگاه علم و صنعت ايران
رشته تحصيلي
مهندسي برق- افزارههاي ميكرو و نانوالكترونيك
استاد راهنما
دكتر محمد عظيم كرمي