بررسي ساختار الكترونيكي لايه هاي گرافن با جانشيني اتم هاي خارجي به كمك نظريه هاي تابعي چگالي

كارشناسي ارشد

در سالهاي اخير مطالعه بر روي آلوتروپهاي كربن از جمله گرافين بسيار مورد توجه قرار گرفته است و يكي از كارهاي انجام شده در اين زمينه هيدروژندار كردن گرافين و بررسيي خواص مختلف آن است كه به آن گرافن گفته ميشود. هدف از اين پايان نامه،بررسي خواص الكتروني،چگالي حالتها و گشتاور مغناطيسي گرافن با جانشين كردن اتمهاي Al,B,N,P به جاي يكي از اتمهاي كربن ميباشد. در اين پروسه،محاسبات براساس نظريه تابعي چگالي (DFT)و با استفاده از تقريب شيب تعميم يافته (GGA) انجام شده است در ابتدا با استفاده از محاسبات relaxation ساختارهاي پايدار بدست آمده،سپس با انجام محاسبات آماده سازي سيستم، ساختار بايد براي هر يك از اتمهاي جانشين شده در گرافن بدست آمده است بعد از آن با انجام محاسبات قطبش اسپيني ساختار باند را رسيم كرده ايم.بعيد از آن چگالي حالتها بدست آمده و بعد گشتاور مغناطيسي را براي سوپرسلهاي مختلف بدست آورده ايم.نتايج نشان ميدهد ساختار گرافن بعيد از جانشييني حالت فلزي پيدا كرده است از طرفي در يافتيم كه اتمهاي B,Al خاصيت مغناطيسي ايجاد ميكنند .

196568

دانشگاه علم و صنعت ايران

دكتر افشار

فيزيك

دكتر كردبچه