طراحي و شبيه سازي يك ترانسفورماتور براي داپلكسر در تكنولوژي 180 نانومتري CMOS

اصفهان : دانشگاه صنعتي اصفهان

مهندسي برق وكامپيوتر

كارشناسي ارشد

با توجه به رشدنمايي نرخ داده‌هاي ارتباط بي‌سيم ، بايستي به دنبال تكامل استاندارد‌ها براي افزايش ظرفيت زير ساخت‌هاي بي‌سيم بود. با استفاده از داپلكسرها مي‌توان به تسهيل شبكه‌هاي بي‌سيم كمك كرد. داپلكسر يك عنصر غير‌فعال مايكروويو است كه در سيستم‌هاي فرستنده-گيرنده مورد استفاده قرار مي‌گيرد و درحاليكه فرستنده را از گيرنده جدا مي‌كند، امكان برقراري ارتباط در هردو جهت را فراهم مي‌سازد. داپلكسرها به دو دسته‌ي تمام‌داپلكس و نيم‌داپلكس تقسيم مي‌شوند. از جمله مزيت‌ تمام داپلكس نسبت به نيم داپلكس، امكان استفاده از ظرفيت كامل انتقال از هر دو جهت مي‌باشد. با توجه به مطالب گفته شده در اين پايان‌نامه داپلكسر تمام‌داپلكس‌ در گستره‌ي فركانسي 1 تا 3 گيگاهرتز مورد بررسي قرار خواهد گرفت. از جمله كاربردهاي باندهاي فركانسي در اين محدوده مي‌توان گفت: • 1800MHz براي شبكه مخابرات موبايل نسل 2G و 4G •2100MHz براي شبكه مخابرات موبايل نسل 3G •2400MHz براي بلوتوث، WiFi و WLAN •2600MHz براي شبكه مخابرات موبايل نسل 4G در راستاي طراحي و شبيه‌سازي يك داپلكسر با استفاده از تكنولوژي 180 نانومتر CMOS در بستر سيليكون براي ايجاد جداسازي 40 تا 50 دسي‌بل با پهناي باند 100 مگاهرتز به يك ترانسفورماتور با دو سلف تزويج‌شده كه هركدام ضريب كيفيت حدود 10 دارند، نياز است كه اين سلف‌ها و ترانسفورماتورها طراحي و شبيه سازي شده اند و در ترانسفورماتور ضريب كيفيت 11/46 و 10/2 در سلفهاي مارپيچي اوليه و ثانويه بدست آمد.

210714

مخابرات ميدان و موج

مهندسي برق و كامپيوتر

دانشگاه صنعتي اصفهان

اميررضا احمدي مهر

احمد بخت افروز، محسن مداح علي

ابوالقاسم زيدآبادي نژاد، ذاكر حسين فيروزه